本周五（6日），全球IGBT领头羊英飞凌宣布，将新增在华投资，扩大其无锡工厂的IGBT模块生产线，后者将成为英飞凌最大的IGBT生产基地之一。

　　据介绍，建成后的新生产制造中心将生产用于电动汽车的HybridPACK？双面冷却模块，用于风电、光伏及众多工业应用的EasyPACK？ 1A/2A模块和1B/1B模块，用于家电和工业等领域的CIPOS？ Mini智能功率模块（IPM）等功率模块器件。

　　IGBT是功率半导体的一种，后者按工作的电压和频率，主要划分为 MOSFET（40%）、IGBT（33%）、二极管（27%）。其中，IGBT的集成度、结构的复杂程度均排首位，被称为电力电子行业里的“CPU”，功率半导体“皇冠上的明珠”。

　　此次英飞凌选择将中国工厂建设成为其在全球最大的生产基地之一，不仅反映了其对中国市场的重视，并且从侧面印证了IGBT以及其背后的功率半导体在国内市场的需求正在激增，行业景气周期或已悄然开启。