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三星高管预计明年HBM将占到行业DRAM产能的近30%

  三星电子一位高管周二表示,预计明年高带宽内存(HBM)将占到DRAM芯片制造商晶圆总产能的近30%,高于目前的约20%。

  三星电子执行副总裁Kim Taewoo表示,HBM与标准DRAM争夺相同的晶圆产能,这意味着扩大HBM产量可能会限制标准DRAM的供应。

  HBM是人工智能计算的关键组件,由垂直堆叠的存储芯片构成,使处理器能够高速访问海量数据。该市场目前主要由韩国的SK海力士和三星电子以及美国的美光科技主导。

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